Jeżeli nie znalazłeś poszukiwanej książki, skontaktuj się z nami wypełniając formularz kontaktowy.

Ta strona używa plików cookies, by ułatwić korzystanie z serwisu. Mogą Państwo określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w swojej przeglądarce zgodnie z polityką prywatności.

Wydawcy

Literatura do programów

Informacje szczegółowe o książce

Understanding Modern Transistors and Diodes - ISBN 9780521514606

Understanding Modern Transistors and Diodes

ISBN 9780521514606

Autor: David L. Pulfrey

Wydawca: Cambridge University Press

Dostępność: 3-6 tygodni

Cena: 449,40 zł

Przed złożeniem zamówienia prosimy o kontakt mailowy celem potwierdzenia ceny.


ISBN13:      

9780521514606

ISBN10:      

0521514606

Autor:      

David L. Pulfrey

Oprawa:      

Hardback

Rok Wydania:      

2010-01-28

Ilość stron:      

354

Wymiary:      

247 x 174 mm

Tematy:      

Electronics & communications engineering

Written in a concise, easy-to-read style, this text for senior undergraduate and graduate courses covers all key topics thoroughly. It is also a useful self-study guide for practising engineers who need a complete, up-to-date review of the subject. Key features: • Rigorous theoretical treatment combined with practical detail • A theoretical framework built up systematically from the Schrödinger Wave Equation and the Boltzmann Transport Equation • Covers MOSFETS, HBTs and HJFETS • Uses the PSP model for MOSFETS • Rigorous treatment of device capacitance • Describes the operation of modern, high-performance transistors and diodes • Evaluates the suitability of various transistor types and diodes for specific modern applications • Covers solar cells and LEDs and their potential impact on energy generation and reduction • Includes a chapter on nanotransistors to prepare students and professionals for the future • Provides results of detailed numerical simulations to compare with analytical solutions • End-of-chapter exercises • Online lecture slides for undergraduate and graduate courses

Spis treści:
Preface
1. Introduction
2. Energy band basics
3. Electron and hole concentrations
4. Thermal equilibrium
5. Charge transport
6. np-and Np-junction basics
7. Solar cells
8. Light-emitting diodes
9. HBT basics
10. MOSFET basics
11. HJFET basics
12. Transistor capacitances
13. Transistors for high-speed logic
14. Transistors for high frequencies
15. Transistors for memories
16. Transistors for high power
17. Transistors for low noise
18. Transistors for the future
Appendix A. Physical constants
Appendix B. Selected material properties
Appendix C. N-MOSFET parameters
Index.

Koszyk

Książek w koszyku: 0 szt.

Wartość zakupów: 0,00 zł

ebooks
covid

Kontakt

Gambit
Centrum Oprogramowania
i Szkoleń Sp. z o.o.

Al. Pokoju 29b/22-24

31-564 Kraków


Siedziba Księgarni

ul. Kordylewskiego 1

31-542 Kraków

+48 12 410 5991

+48 12 410 5987

+48 12 410 5989

Zobacz na mapie google

Wyślij e-mail

Subskrypcje

Administratorem danych osobowych jest firma Gambit COiS Sp. z o.o. Na podany adres będzie wysyłany wyłącznie biuletyn informacyjny.

Autoryzacja płatności

PayU

Informacje na temat autoryzacji płatności poprzez PayU.

PayU banki

© Copyright 2012: GAMBIT COiS Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone.

Projekt i wykonanie: Alchemia Studio Reklamy