Jeżeli nie znalazłeś poszukiwanej książki, skontaktuj się z nami wypełniając formularz kontaktowy.

Ta strona używa plików cookies, by ułatwić korzystanie z serwisu. Mogą Państwo określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w swojej przeglądarce zgodnie z polityką prywatności.

Wydawcy

Literatura do programów

Informacje szczegółowe o książce

InGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar - ISBN 9780081027257

InGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar

ISBN 9780081027257

Autor: Huntington, Andrew

Wydawca: Elsevier

Dostępność: 3-6 tygodni

Cena: 990,15 zł

Przed złożeniem zamówienia prosimy o kontakt mailowy celem potwierdzenia ceny.


ISBN13:      

9780081027257

Autor:      

Huntington, Andrew

Oprawa:      

Paperback

Rok Wydania:      

2020-05-12

Tematy:      

TGM

InGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar discusses the materials, physics, and design considerations of avalanche photodiodes (APDs) developed for 3D imaging sensors, which will enable self-driving cars and autonomously navigating drones.

The book provides a detailed theoretical understanding of all types of APD, including the semiconductor physics underlying device function and the mathematics of avalanche noise. Both linear- and Geiger-mode operation of APDs are addressed, and contemporary research on APDs manufactured from a variety of different material systems is reviewed. The approach unites a theoretical treatment of common figures of merit with a practical discussion of how they impact sensor system performance. Models are developed for the sensitivity, maximum effective range, and ranging precision of time-of-flight APD photoreceiver circuits.

Linear-mode InGaAs APDs are of particular relevance to 3D imaging owing to their compatibility with eye-safe lasers, and the maturity of the material system, for which substantial commercial foundry capacity exists. The author uses InGaAs APDs to demonstrate the book’s design calculations, which are compared to the representative empirical data, and as the basis for discussions of device structure and manufacturing.

r

Addresses the materials, device and system design challenges that face researchers today, presenting all the information in one key resourceReviews all key APD figures of merit and explains the connection between device and system performanceWritten by an industry expert with 13 years of experience developing InAlAs, InGaAs and InP avalanche photodiodes (APDs)

1. Types of avalanche photodiode 2. Avalanche photodiode figures of merit 3. APD photoreceivers for range-finding and lidar 4. Linear-mode InGaAs APD design and manufacture Appendix: Semiconductor physics

Koszyk

Książek w koszyku: 0 szt.

Wartość zakupów: 0,00 zł

ebooks
covid

Kontakt

Gambit
Centrum Oprogramowania
i Szkoleń Sp. z o.o.

Al. Pokoju 29b/22-24

31-564 Kraków


Siedziba Księgarni

ul. Kordylewskiego 1

31-542 Kraków

+48 12 410 5991

+48 12 410 5987

+48 12 410 5989

Zobacz na mapie google

Wyślij e-mail

Subskrypcje

Administratorem danych osobowych jest firma Gambit COiS Sp. z o.o. Na podany adres będzie wysyłany wyłącznie biuletyn informacyjny.

Autoryzacja płatności

PayU

Informacje na temat autoryzacji płatności poprzez PayU.

PayU banki

© Copyright 2012: GAMBIT COiS Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone.

Projekt i wykonanie: Alchemia Studio Reklamy