Jeżeli nie znalazłeś poszukiwanej książki, skontaktuj się z nami wypełniając formularz kontaktowy.

Ta strona używa plików cookies, by ułatwić korzystanie z serwisu. Mogą Państwo określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w swojej przeglądarce zgodnie z polityką prywatności.

Wydawcy

Literatura do programów

Informacje szczegółowe o książce

Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology - ISBN 9780081025840

Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

ISBN 9780081025840

Autor: Nishi, YoshioMagyari-Kope, Blanka

Wydawca: Elsevier

Dostępność: 3-6 tygodni

Cena: 990,15 zł

Przed złożeniem zamówienia prosimy o kontakt mailowy celem potwierdzenia ceny.


ISBN13:      

9780081025840

Autor:      

Nishi, YoshioMagyari-Kope, Blanka

Oprawa:      

Paperback

Rok Wydania:      

2019-06-18

Tematy:      

PHK

Advances in Nonvolatile Memory and Storage Technology, Second Edition, addresses recent developments in the non-volatile memory spectrum, from fundamental understanding, to technological aspects. The book provides up-to-date information on the current memory technologies as related by leading experts in both academia and industry. To reflect the rapidly changing field, many new chapters have been included to feature the latest in RRAM technology, STT-RAM, memristors and more. The new edition describes the emerging technologies including oxide-based ferroelectric memories, MRAM technologies, and 3D memory. Finally, to further widen the discussion on the applications space, neuromorphic computing aspects have been included.

This book is a key resource for postgraduate students and academic researchers in physics, materials science and electrical engineering. In addition, it will be a valuable tool for research and development managers concerned with electronics, semiconductors, nanotechnology, solid-state memories, magnetic materials, organic materials and portable electronic devices.



Discusses emerging devices and research trends, such as neuromorphic computing and oxide-based ferroelectric memoriesProvides an overview on developing nonvolatile memory and storage technologies and explores their strengths and weaknessesExamines improvements to flash technology, charge trapping and resistive random access memory

Part 1: Progress in nonvolatile memory research and application 1. OxRAM technology development and performances 2. Metal-oxide resistive random access memory (RRAM) technology: Material and operation details and ramifications 3. Advanced modeling and characterization techniques for innovative memory devices: The RRAM case 4. Mechanism of memristive switching in OxRAM 5. Interface effects on memristive devices 6. Spin-orbit torque magnetoresistive random-access memory (SOT-MRAM) 7. Spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM) technology 8. 3D-NAND Flash memory and technology 9. Advances in oxide-based conductive bridge memory (CBRAM) technology for computing systems 10. Selector devices for x-point memory

Part 2: Emerging opportunities 11. Ferroelectric memories 12. Advances in nanowire PCM 13. Flexible and transparent ReRAM devices for system on panel (SOP) application 14. RRAM/memristor for computing 15. Emerging memory technologies for neuromorphic hardware 16. Neuromorphic computing with resistive switching memory devices

Koszyk

Książek w koszyku: 0 szt.

Wartość zakupów: 0,00 zł

ebooks
covid

Kontakt

Gambit
Centrum Oprogramowania
i Szkoleń Sp. z o.o.

Al. Pokoju 29b/22-24

31-564 Kraków


Siedziba Księgarni

ul. Kordylewskiego 1

31-542 Kraków

+48 12 410 5991

+48 12 410 5987

+48 12 410 5989

Zobacz na mapie google

Wyślij e-mail

Subskrypcje

Administratorem danych osobowych jest firma Gambit COiS Sp. z o.o. Na podany adres będzie wysyłany wyłącznie biuletyn informacyjny.

Autoryzacja płatności

PayU

Informacje na temat autoryzacji płatności poprzez PayU.

PayU banki

© Copyright 2012: GAMBIT COiS Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone.

Projekt i wykonanie: Alchemia Studio Reklamy