Jeżeli nie znalazłeś poszukiwanej książki, skontaktuj się z nami wypełniając formularz kontaktowy.

Ta strona używa plików cookies, by ułatwić korzystanie z serwisu. Mogą Państwo określić warunki przechowywania lub dostępu do plików cookies w swojej przeglądarce zgodnie z polityką prywatności.

Wydawcy

Literatura do programów

Informacje szczegółowe o książce

Techniques and Challenges for 300 mm Silicon: Processing, Characterization, Modelling and Equipment - ISBN 9780080436098

Techniques and Challenges for 300 mm Silicon: Processing, Characterization, Modelling and Equipment

ISBN 9780080436098

Autor: Richter, H.Wagner, P.Ritter, G.

Wydawca: Elsevier

Dostępność: 3-6 tygodni

Cena: 763,35 zł


ISBN13:      

9780080436098

ISBN10:      

0080436099

Autor:      

Richter, H.Wagner, P.Ritter, G.

Oprawa:      

Hardback

Rok Wydania:      

1999-09-08

Tematy:      

PHQ

The activities of the semiconductor industry to introduce a new, large wafer diameter were triggered by expected potential overall savings - cost and resource - and an anticipated increasing demand for Silicon wafers. In the beginning, around 1994, agreement on the diameter of the next wafer generation had to be achieved and finally 300 mm was globally accepted to be the next wafer diameter, a decision obtained at international summits in 1994/1995, based on the work of a SEMI task force.

Several workshops on 300 mm wafers have been held by SEMI, JSNM and other organizations during the past few years. However, the present E-MRS conference on Techniques and Challenges for 300 mm Silicon: Processing, Characterization, Modeling and Equipment was the first international scientific conference about this subject.

The papers - invited as well as submitted - cover a wide range of subjects, financial issues, fab concepts, crystal growth, wafer process development, material and defect issues, wafer characterization and provide an excellent review of the present status of 300 mm technology.

Preface. The 300 mm technology - global opportunity for industry and challenges for research (H. Richter et al.). 300 mm conversion challenge and breakthrough for future semiconductor manufacturing (P. Kuecher et al.). Automation and fab concepts for 300 mm wafer manufacturing (H. Binder, A. Honold). Large diameter silicon technology and epitaxy (H. Yamagishi et al.). Challenges for economical growth of high quality 300 mm CZ Si crystals (E. Tomzig et al.). 300 mm epitaxy: challenges and opportunities from a wafer manufacturer's point of view (P.-O. Hansson, M. Fuerfanger). Study of oxygen transport in Czochralski growth of silicon (G. Müller et al.). Vacancy distribution measurements in CZ Si crystals grown by different pulling rate (Y. Takano et al.). Uniform precipitation of oxygen in large diameter wafers (G. Kissinger et al.). Effect of the structural state of the melt on the properties of silicon crystals (A.Ya. Gubenko). Characterization of 300 mm silicon-polished and EPI wafers (S. Shih et al.). Three hundred-mm wafers: a technological and an economical challenge (H. Dietrich et al.).

Koszyk

Książek w koszyku: 0 szt.

Wartość zakupów: 0,00 zł

ebooks
covid

Kontakt

Gambit
Centrum Oprogramowania
i Szkoleń Sp. z o.o.

Al. Pokoju 29b/22-24

31-564 Kraków

+48 12 414 3791

+48 12 414 3387


Siedziba Księgarni

ul. Kordylewskiego 1

31-542 Kraków

+48 12 410 5989

+48 12 414 3767

Zobacz na mapie google

Wyślij e-mail

Subskrypcje

Administratorem danych osobowych jest firma Gambit COiS Sp. z o.o. Na podany adres będzie wysyłany wyłącznie biuletyn informacyjny.

Autoryzacja płatności

PayU

Informacje na temat autoryzacji płatności poprzez PayU.

PayU banki

© Copyright 2012: GAMBIT COiS Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone.

Projekt i wykonanie: Alchemia Studio Reklamy